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<b></b>电源经过电阻加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。
电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流。也有很小一部分电子与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
由于集电结外加反向电压很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流,其数值很小,但对温度却异常敏感。
单个锗二极管输出电压比较小,并不能够直接驱动三极管。然后要增加一定的电压,给三极管积极提供电位。给三极管基极提供电位的方法有这几种。可以使用电源来提供三极管基极的电位,通常与集电极和发射极的电压差有关。可以使用两个电阻串联,通过分压的方式来提供三极管基极的电位。这种方法通常用于调整基极电位的大小。还有一种是另外加一个二极管。
检查了一下,是有一个地方基极加的二极管没有焊接好。重新焊接之后,给基极提供足够的电压,这个放大器又可以工作了。
馨源说:“你原来在实验室里做测试了吗?”
立嵘说:“来的时候比较匆忙,有一部分没有测试。直接就带过来了,想在这个太阳光下试一试。”
无光照时,光电池伏安特性曲线与普通半导体二极管相同。有光照时,沿电流轴方向平移,平移幅度与光照度成正比。曲线与电压轴交点称为开路电压,与电流轴交点称为短路电流。
光电池的开路电压与和光照,温度,材料,光生电流,反向饱和电流有关。光照强度是影响光电池开路电压的重要因素之一。当光照强度增加时,光电池的输出电压也会随之增加。开路电压和光照强度是非线性的关系,它和光照强度的对数值是成线性关系。
光电池的短路电流与光波的频率、光照度等参数有关。短路电流和光照度是呈线性关系。经过外面回路的电流等于光生电流减去二极
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